Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs

1 Einleitung.- 1.1 Technologischer Stellenwert von III-V-Halbleitern.- 1.2 Anforderungen an die Oberfläche von GaAs-Wafern.- 1.3 Ziel der Arbeit.- 2 Materialkunde.- 2.1 Galliumarsenid (GaAs).- 2.2 Herstellung von GaAs-Wafern.- 3 Verwendete oberflächenanalytische Methoden.- 3.1 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS).- 3.2 Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS).- 3.3 Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF).- 3.4 Ellipsometrie.- 4 Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs.- 4.1 Herstellung von Standards.- 4.2 Identifikation metallischer Spurenelemente.- 4.3 Tiefenanalyse metallischer Spurenelemente.- 4.4 Quantitative Analyse metallischer Spurenelemente.- 5 Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs.- 5.1 Oxidationsmechanismen.- 5.2 Signaturdaten für XPS, TOF-SIMS und Ellipsometrie.- 5.3 GaAs-Oberflächen nach Oxidation an Umgebungsluft.- 5.4 GaAs-Oberflächen nach Oxidation unter UV/Ozon-Einfluß.- 5.5 Vergleich der Oxidationsmechanismen.- 6 Zusammenfassende Diskussion.- 7 Literaturverzeichnis.