Hai Li,
Yiran Chen
Nonvolatile Memory Design
Magnetic, Resistive, and Phase Change
Gebonden Engels 2011 1e druk 9781439807453Levertijd ongeveer 11 werkdagen
Gratis verzonden
Samenvatting
The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.
Specificaties
ISBN13:9781439807453
Taal:Engels
Bindwijze:Gebonden
Aantal pagina's:208
Uitgever:CRC Press
Druk:1
Hoofdrubriek:Wetenschap en techniek, Computer en informatica
Lezersrecensies
Wees de eerste die een lezersrecensie schrijft!
Rubrieken
- advisering
- algemeen management
- coaching en trainen
- communicatie en media
- economie
- financieel management
- inkoop en logistiek
- internet en social media
- it-management / ict
- juridisch
- leiderschap
- marketing
- mens en maatschappij
- non-profit
- ondernemen
- organisatiekunde
- personal finance
- personeelsmanagement
- persoonlijke effectiviteit
- projectmanagement
- psychologie
- reclame en verkoop
- strategisch management
- verandermanagement
- werk en loopbaan