Viktor Sverdlov
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Gebonden Engels 2010 2011e druk 9783709103814Levertijd ± 9 werkdagen
Gratis verzonden
Samenvatting
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Specificaties
ISBN13:9783709103814
Taal:Engels
Bindwijze:Gebonden
Aantal pagina's:252
Uitgever:Springer Vienna
Druk:2011
Lezersrecensies
Wees de eerste die een lezersrecensie schrijft!
Rubrieken
- advisering
- algemeen management
- coaching en trainen
- communicatie en media
- economie
- financieel management
- inkoop en logistiek
- internet en social media
- it-management / ict
- juridisch
- leiderschap
- marketing
- mens en maatschappij
- non-profit
- ondernemen
- organisatiekunde
- personal finance
- personeelsmanagement
- persoonlijke effectiviteit
- projectmanagement
- psychologie
- reclame en verkoop
- strategisch management
- verandermanagement
- werk en loopbaan